应用领域：
应用于离子探测器等领域。
尺寸规格：
技术参数：
1. 材料：高硼硅/ 石英。
2. S1//S2，S3//S4，平行度小于10”。
3. S1//S4，平行度小于3”。
4. S1，S4面形精度<174入@633nm
5. 腔体耐压3atm，即0.3mpa
6. 腔体漏率≤10^-10 Pa·m³/s。
7. 腔内可充铷、铯等金属离子。
应用领域：
应用于离子探测器等领域。
尺寸规格：
技术参数：
1. 材料：高硼硅/ 石英。
2. S1//S2，S3//S4，平行度小于10”。
3. S1//S4，平行度小于3”。
4. S1，S4面形精度<174入@633nm
5. 腔体耐压3atm，即0.3mpa
6. 腔体漏率≤10^-10 Pa·m³/s。
7. 腔内可充铷、铯等金属离子。
