应用领域：
应用于离子探测器等领域。
尺寸规格：
技术参数：
1. 材料：高硼硅。
2. 端面面型精度PV<入/@633nm。
3. 锐角倒角CO 23。
4. 表面质量MIL40-20。
5. S1 .S2 .S4表面镀膜T>99 .5% 510nm±10nm＆852nm±10nm S3表面镀膜R>99% 510nm±10nm＆852nm±10nm。
6. 腔体漏率≤10^-10 Pa·m³/s。
7. 腔内可充铷、铯等金属离子。
应用领域：
应用于离子探测器等领域。
尺寸规格：
技术参数：
1. 材料：高硼硅。
2. 端面面型精度PV<入/@633nm。
3. 锐角倒角CO 23。
4. 表面质量MIL40-20。
5. S1 .S2 .S4表面镀膜T>99 .5% 510nm±10nm＆852nm±10nm S3表面镀膜R>99% 510nm±10nm＆852nm±10nm。
6. 腔体漏率≤10^-10 Pa·m³/s。
7. 腔内可充铷、铯等金属离子。
